8800MT/s!Intel推出全新MRDIMM高速内存
11月18日消息,推出Intel最近发布了至强6数据中心处理器率先应用MRDIMM(多路复用双列直插式内存模块)新型内存,全新以即插即用的高速方式大幅提升性能。
传统上,内存广泛应用的推出RDIMM(寄存式双列直插式内存模块)与处理器类似,均内置并行资源,全新但两者在资源利用方式上存在差异。高速RDIMM虽允许独立存储与数据访问在多个内存阵列间进行,内存却未能实现这一过程的推出同步化。
面对这一挑战,全新Intel工程师创造性地提出了一项解决方案:在DRAM模块上集成多路复用器,高速使得数据能够同时在两个内存阵列间进行高效传输。内存这一创新设计打破了传统限制,推出开启了内存访问的全新新纪元。
多路复用缓冲器的高速引入,进一步优化了MRDIMM的电力负载管理,从而促使接口速度相较于RDIMM实现了显著提升。得益于能够同时并行访问两个内存阵列,MRDIMM的带宽也随之翻倍,带来了前所未有的性能提升。
Intel此番推出的MRDIMM技术,成功铸就了其历史上最快的系统内存,峰值带宽从6400MT/s大幅跃升至8800MT/s,提升幅度接近40%。这一显著进步,在过去往往需要经过多次产品迭代方能实现,而今却在一夜之间成为现实。
MRDIMM的另一大亮点在于其卓越的易用性。该技术完美兼容常规RDIMM的连接器和外形规格,仅需将小型多路复用芯片安装于先前模块上的空闲位置,即可轻松实现升级,无需对主板进行任何改动。
此外,MRDIMM还全面继承了RDIMM的纠错机制及RAS(可靠性、可用性和可维护性)功能,确保无论数据缓冲区中产生何种复杂的独立多路复用请求,都能有效维护数据的完整性与准确性。这一系列优势,无疑为MRDIMM技术在数据中心领域的广泛应用奠定了坚实的基础。
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